特許
J-GLOBAL ID：200903081208054258
エレクトロルミネッセント素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山下 昭彦
, 岸本 達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-272175
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111220
出願日： 2002年09月18日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】正孔注入層のパターニングが効率的に行えるEL素子の製造方法。【解決手段】表面にパターン状に形成された第1電極層1を有する基材2の第1電極層側の表面に、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により分解除去され得る正孔注入層5を形成する工程と、基板上に光触媒を含有する光触媒処理層7が形成されている光触媒処理層基板8を用い、正孔注入層が形成された基材および光触媒処理層基板を光触媒処理層および正孔注入層が向かい合うように、かつ、200μm以下の間隙をおいて配置した後、エネルギーを照射し、上記正孔注入層をパターン状に分解除去する工程と、基材上に残存するパターン状の正孔注入層上に、発光層13を形成する工程と、発光層上に第2電極層を形成する工程とを有し、正孔注入層表面の液体に対する接触角が、分解除去工程により正孔注入層が除去されて露出した面の液体に対する接触角より小さいことを特徴とするEL素子の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
表面にパターン状に形成された第1電極層を有する基材の第1電極層が形成された側の表面に、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により分解除去され得る正孔注入層を形成する正孔注入層形成工程と、
基板上に少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層が形成されている光触媒処理層基板を用い、前記正孔注入層が形成された基材および前記光触媒処理層基板を、前記光触媒処理層および前記正孔注入層が向かい合うように、かつ、200μm以下の間隙をおいて配置した後、所定の方向からエネルギーを照射することにより、前記正孔注入層が形成された基材における前記第1電極層間の前記正孔注入層をパターン状に分解除去する分解除去工程と、
前記基材上に残存するパターン状の正孔注入層上に、発光層を形成する発光層形成工程と、
前記発光層上に第2電極層を形成する第2電極層形成工程と、
を少なくとも有し、
前記正孔注入層表面の液体に対する接触角が、前記分解除去工程により正孔注入層が除去されて露出した面の液体に対する接触角より小さいことを特徴とするエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
IPC (5件)：
H05B33/10
, B01J35/02
, H05B33/12
, H05B33/14
, H05B33/22
H05B33/10
, B01J35/02 J
, H05B33/12 B
, H05B33/14 A
, H05B33/22 D
, H05B33/22 Z
3K007AB03
, 3K007AB18
, 3K007DB03
, 3K007EA00
, 3K007FA01
, 4G069AA03
, 4G069BA04A
, 4G069BA04B
, 4G069BA48A
, 4G069BB04A
, 4G069BB06A
, 4G069BC12A
, 4G069BC22A
, 4G069BC25A
, 4G069BC35A
, 4G069BC50A
, 4G069BC60A
, 4G069BC66A
, 4G069CD10
