特許

J-GLOBAL ID：200903081209436898

エッチング方法および半導体装置の製造方法

発明者： 玉村 好司 ,  山口 恭司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-029531
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231705
出願日： 2001年02月06日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】 窒化物系化合物半導体層の加工をドライエッチングにより行うとエッチングダメージが残り素子特性を悪化させる原因となるため、素子特性を悪化させないウエットエッチングによる加工方法の実現を図る。【解決手段】 窒化物系化合物半導体層2にイオン注入を行って結晶性を悪化させることにより被エッチング領域4を形成する工程と、ウエットエッチングにより、結晶性を悪化させた被エッチング領域4を結晶性が悪化していない領域に対して選択的に除去する工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

窒化物系化合物半導体層にイオン注入を行って被エッチング領域を形成する工程と、前記被エッチング領域をウエットエッチングにより選択的に除去する工程とを備えたことを特徴とするエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/308 ,  H01L 21/265 ,  H01L 31/10 ,  H01S 5/343 610

FI (4件)：

H01L 21/308 C ,  H01S 5/343 610 ,  H01L 21/265 W ,  H01L 31/10 A

Fターム (18件)：

5F043AA05 ,  5F043BB10 ,  5F043DD17 ,  5F043FF05 ,  5F043GG05 ,  5F049MA13 ,  5F049MB07 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049PA20 ,  5F049SS01 ,  5F073CA07 ,  5F073CB03 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA15 ,  5F073DA16 ,  5F073DA23

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物半導体のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-035920   出願人：シャープ株式会社
• 絶縁膜層の形状形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-190067   出願人：株式会社リコー
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-073855   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-322427