特許
J-GLOBAL ID：200903081210054699

窒化物系半導体素子および窒化物系半導体基板

発明者：
畑 雅幸

畑 雅幸 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 福島 祥人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-192721
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016000
出願日： 2000年06月27日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：
【要約】【課題】 良好な結晶性を有する窒化物系半導体層を成長させることが可能な窒化物系半導体基板を提供することである。【解決手段】 n-GaNオフ基板1は、(0001)面から1〜20°の範囲内の所定の角度で傾斜したオフ面を有する。この場合、オフ面の傾斜方向は<11-20>方向から±7°の範囲内の所定の方向である。このようなオフ面を有するn-GaNオフ基板1上に窒化物系半導体層を成長させる場合、窒化物系半導体層の結晶成長が主としてステップフローモードで起こる。このため、このようなn-GaNオフ基板1を用いることにより、良好な結晶性を有する窒化物系半導体層が得られる。
請求項（抜粋）：
六方晶系の窒化物系半導体からなる窒化物系半導体基板であって、(0001)面から所定の方向に所定の角度傾斜した傾斜面を有し、前記傾斜面の傾斜角度が1度以上20度以下であることを特徴とする窒化物系半導体基板。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 31/107 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343 ,  H01L 31/10 B
Fターム (38件)：
5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA66 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045GH02 ,  5F049MA03 ,  5F049MA04 ,  5F049MA07 ,  5F049MB07 ,  5F049PA03 ,  5F049SS04 ,  5F073AA09 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (6件)
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