特許
J-GLOBAL ID：200903007938754608

窒化物半導体装置

発明者：
石田 昌宏

石田 昌宏 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-367964
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230497
出願日： 2000年12月04日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：
【要約】【課題】 活性層などの機能領域における組成分離を低減することにより、窒化物半導体装置の歩留まりを向上させる。【解決手段】 主面を{11-20}面に垂直で且つ{0001}面から所定の角度だけ傾斜した面とするn型の窒化ガリウム基板10の上に、n型AlGaN層よりなる第1のクラッド層11、n型GaN層よりなる第1の光ガイド層12、アンドープInGaN層よりなり量子井戸構造を有する活性層13、p型GaN層よりなる第2の光ガイド層14、p型AlGaN層よりなる第2のクラッド層15及びn型AlGaN層よりなる電流ブロック層16を順次成長させる。電流ブロック層16にストライプ状の電流狭窄領域を形成した後、電流ブロック層16の上に、p型AlGaN層よりなる第3のクラッド層17及びp型GaN層よりなるコンタクト層18を順次成長させる。
請求項（抜粋）：
窒素を含むIII-V族化合物半導体からなる基板と、前記基板の主面上に形成された窒素を含むIII-V族化合物半導体層からなる機能領域とを備え、前記基板の主面は{0001}面から13°以上且つ90°以下傾斜した面であることを特徴とする窒化物半導体装置。
Fターム (9件)：
5F073AA12 ,  5F073AA74 ,  5F073BA04 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA32 ,  5F073DA34
引用特許：
審査官引用 (6件)
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