特許
J-GLOBAL ID：200903040411703891
窒化物系化合物半導体発光およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-005385
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196632
出願日： 2000年01月14日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 従来技術では、窒化物系化合物半導体発光素子を形成する場合において、熱処理あるいは電子線照射処理することなく、as grownで高い正孔濃度を有するp型導電を示す窒化物系化合物半導体結晶を得ることができなかった。したがって、従来の窒化物系化合物半導体発光素子では、コンタクト抵抗の大きいこと、熱処理によるダメージなどで、十分に発光素子特性を向上させることができなかった。本発明では上記課題を解決し、低駆動電流・電圧で発光し、かつ、高輝度の窒化物系化合物半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明では、結晶方位が<0001>方向より0.05°以上2°以下の範囲で傾斜したGaN基板上に、窒化物系化合物半導体(Ga<SB>x</SB>In<SB>y</SB>Al<SB>1-(x+y)</SB>N,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)からなるアクセプタードーピング層と活性層を有する構成とすることによって、
請求項（抜粋）：
結晶方位が<0001>方向より0.05°以上2°以下の範囲で傾斜したGaN基板上に、窒化物系化合物半導体(Ga<SB>x</SB>In<SB>y</SB>Al<SB>1-(x+y</SB><SB>)</SB>N,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)からなるアクセプタードーピング層と活性層を有することを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01S 5/343
5F041AA04
, 5F041AA21
, 5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA23
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F073AA07
, 5F073AA51
, 5F073AA73
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB10
, 5F073DA05
, 5F073DA35
, 5F073EA23
