特許
J-GLOBAL ID：200903081213377979

パターン評価方法、評価マーク、それを用いた半導体装置の製造方法

発明者：
福原 和也

福原 和也 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-050436
公開番号（公開出願番号）：特開2008-218516
出願日： 2007年02月28日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：
【課題】側壁残し法の寸法誤差を簡易に測定評価する方法を提供する。【解決手段】パターン評価方法は、ダミーパターンに側壁絶縁膜を形成した後に、ダミーパターンを除去してパターン評価用マスクを形成し、あるいはこのパターン評価用マスクを用いて下地膜をエッチングして、パターン評価用マークを形成し、上記の評価用マスク、あるいは評価用マークに関して、その相対位置を計測し、夫々の基準位置からのずれを評価する。【選択図】 図10
請求項（抜粋）：
第1の下地膜が第2の下地膜の上面に形成された半導体基板を準備する工程と、 前記半導体基板にレジストを塗布し、所定のパターンを成すように露光する工程と、 前記露光された半導体基板を現像してレジストマスクを形成する工程と、 前記レジストマスクを用いて、前記第1の下地膜をエッチングしてダミーパターンを形成する工程と、 前記ダミーパターンに側壁絶縁膜を形成する工程と、 前記側壁絶縁膜形成後に、前記ダミーパターンを除去する工程と、 前記側壁絶縁膜を用いて前記第2の下地膜をエッチングして、パターン評価用マークを形成し評価する工程と、 を具備し、 前記ダミーパターンに側壁絶縁膜を形成する工程は、前記側壁絶縁膜は湾曲面と垂直面とからなる断面形状を有し、第1の方向に前記湾曲面がある少なくとも1対の第1の側壁絶縁膜と、前記第1の方向と逆向きの第2の方向に前記湾曲面がある少なくとも1対の第2の側壁絶縁膜を、前記ダミーパターンの側壁に形成する工程を含み、 前記ダミーパターンを除去する工程は、前記ダミーパターンを除去して、夫々が一対の前記第1及び第2の側壁絶縁膜を前記第2の下地膜上に残置する工程を含み、 前記側壁絶縁膜を用いて前記第2の下地膜をエッチングして、パターン評価用マークを形成し評価する工程は、 前記第1の側壁絶縁膜から形成された第1のマスクと、前記第2の側壁絶縁膜から形成された第2のマスクを用いて前記第2の下地膜をエッチングし、前記第2の下地膜に、前記第1のマスクに対応して形成された第1のマークと、前記第2のマスクに対応して形成された第2のマークとを形成するサブ工程と、 前記第1及び第2のマスク、あるいは前記第1及び第2のマークに関して、その相対位置を計測し、夫々の基準位置からのずれを評価するサブ工程と、 を具備することを特徴とするパターン評価方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66 ,  H01L 21/321 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52
FI (3件)：
H01L21/66 Y ,  H01L21/88 C ,  H01L21/88 S
Fターム (14件)：
4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AB15 ,  4M106AB17 ,  4M106BA04 ,  4M106CA39 ,  4M106DB07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ28 ,  5F033XX03 ,  5F033XX37
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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