半導体受光装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-301489
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064217
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】広い動作温度環境において1620nm帯に感度を有する高速半導体受光装置を提供する。【解決手段】受光装置中の受光層を、圧縮歪を蓄積し1620nm帯の波長を吸収する光吸収層と、引っ張り歪を蓄積した歪補償層とを交互に積層した超格子構造とし、その際前記歪補償層の厚さを前記光吸収層の厚さよりも小さく設定する。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた受光層と、前記受光層の一部に形成された第2の導電型の領域と、前記受光層に対して、前記第2の導電型の領域を介して厚さ方向に電界を印加する電極手段とを備え、前記受光層は、圧縮歪を蓄積し、所定波長の光を吸収する第1の半導体層と、引っ張り歪を蓄積し、前記第1の半導体層よりも薄い第2の半導体層とを含み、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とは、前記受光層中において交互に繰り返されることを特徴とする半導体受光装置。

IPC (3件)：

H01L 31/10 , H01L 21/205 , C23C 16/30

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/30 , H01L 31/10 A

Fターム (34件)：

4K030AA05 , 4K030AA11 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA25 , 4K030BA51 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA06 , 4K030JA20 , 4K030LA11 , 5F045AA04 , 5F045AB12 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC19 , 5F045AD10 , 5F045AF04 , 5F045BB16 , 5F045CA13 , 5F045DA53 , 5F045HA22 , 5F049MA01 , 5F049MB07 , 5F049NA07 , 5F049NB01 , 5F049PA04 , 5F049PA14 , 5F049QA16 , 5F049SS04 , 5F049WA01

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開平4-229823
半導体受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-105091 出願人：古河電気工業株式会社
特開平3-139886

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審査官引用 (8件)

特開平4-229823
半導体受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-105091 出願人：古河電気工業株式会社
特開平3-139886

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