特許
J-GLOBAL ID：200903081249970471

層間絶縁膜製造用の塗布組成物の製造法

発明者：
白瀧 浩伸

白瀧 浩伸 について

, 
花畑 博之

花畑 博之 について


出願人/特許権者：
旭化成株式会社

旭化成株式会社 について


代理人 (4件)： 武井 英夫 ,  清水 猛 ,  伊藤 穣 ,  鳴井 義夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-228159
公開番号（公開出願番号）：特開2004-067434
出願日： 2002年08月06日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるCMP工程に十分耐える機械的強度を有し、かつビア形成時の汚染ガス発生量の少ない、多孔性シリカ薄膜を提供する。【解決手段】4官能性のアルコキシシランに由来する珪素原子に対して2官能性および3官能性のアルコキシシランに由来する珪素原子を特定量含む異なる2種類のシリカ前駆体の混合物と、ブロックコポリマーと、酸触媒および溶媒とを包含することを特徴とする層間絶縁膜製造用の塗布組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)及び(2)で表されるアルコキシシランを、(1)と(2)のSi全体に対する(2)のSiの割合が、60モル%以上で重縮合したシリカ前駆体(A)と、(1)と(2)で表されるアルコキシランを、(1)と(2)のSi全体に対する(1)のSiの割合が、60モル%以上で重縮合したシリカ前駆体(B)と、(C)直鎖状または分岐状の2元以上のブロックコポリマーを含有する有機ポリマーと、(D)アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種以上の溶媒とを含有することを特徴とする層間絶縁膜製造用塗布組成物。 Si(OR1 )4 (1) R2 n (Si)(OR1 )4-n (2) (式中、R1 、R2 は同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を表す。nは1〜2の整数である。)
IPC (3件)：
C01B33/12 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768
FI (3件)：
C01B33/12 C ,  H01L21/316 G ,  H01L21/90 S
Fターム (33件)：
4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ47 ,  4G072LL11 ,  4G072LL14 ,  4G072LL15 ,  4G072MM36 ,  4G072NN21 ,  4G072UU01 ,  4G072UU30 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR23 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033WW04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX14 ,  5F033XX24 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BC20 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (5件)
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