特許
J-GLOBAL ID：200903081283634855
量子ドット構造及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-324904
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181301
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【目的】 量子ドット構造及びその製造方法に関し、量子ドットを制御された位置に、又、高密度で形成することを比較的簡単な技術で可能にしようとする。【構成】 特定方向に傾斜させた主表面をもつ半絶縁性GaAs基板21上に開口22Aをもつ絶縁膜22が形成され、開口22A内にGaAs台形層23が形成され、台形層23の頂面に在るテラス上にInGaAs量子ドット領域24A及びGaAsバリヤ領域24Bが交互に連接して形成され、量子ドット領域24A及びバリヤ領域24B上に量子ドット領域24Aを量子ドットとする為のGaAs上側バリヤ層25が形成される。
請求項（抜粋）：
テラス構造を生成する為に結晶面の特定方向に僅かに傾斜させた主表面をもつ化合物半導体基板と、前記化合物半導体基板上に形成され且つ前記傾斜方向と同一方向に延在するストライプの開口を有して選択成長用マスクの作用をする絶縁膜と、前記開口内に表出された前記化合物半導体基板上に積層形成され格子定数が前記化合物半導体基板と本質的に同じであると共に前記ストライプに沿う側面が特異面をなし且つ頂面にテラスが生成された化合物半導体台形層と、前記化合物半導体台形層の頂面に在るテラス上のストライプ方向に交互に連接した状態に形成され前記化合物半導体台形層と格子定数を異にすると共に禁制帯幅が小さい第一の化合物半導体層及び前記第一の化合物半導体層の禁制帯幅に比較して大きい禁制帯幅を有する第二の化合物半導体層と、前記第一の化合物半導体層の禁制帯幅に比較して大きい禁制帯幅を有すると共に格子定数が前記化合物半導体台形層の格子定数と実質的に等しく且つ少なくとも前記第一の化合物半導体層及び前記第二の化合物半導体層を覆って前記第一の化合物半導体層を量子ドットとして構成する為の第三の化合物半導体層とを備えてなることを特徴とする量子ドット構造。
IPC (3件)：
H01L 29/06
, H01L 21/20
, H01S 3/18
