特許
J-GLOBAL ID：200903081294896177
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
机 昌彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-110042
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303842
出願日： 2002年04月12日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：
【要約】【課題】信頼性の高い溶融接合の技術を可能にし、半導体装置の高密度化、高機能化を促進させる。【解決手段】BGAパッケージ1表面に形成したCu配線層2上に、Ni接合層3と酸化防止層4とを無電解メッキ法で積層して形成し、酸化防止層4を覆うようにしてフラックス5を塗布する。そして、Cu添加ハンダボールバンプ6を上記酸化防止層4に載置し190°C〜220°Cの範囲温度で熱処理を施しNi接合層3に溶融接合する。Cu添加ハンダボールバンプ6中のSnおよびCuとNi接合層3中のNiとが急激に反応し拡散抑制合金層7が形成される。そして、配線基板であるマザーボード9上の電極パッド10とCu添加ハンダボールバンプ6とを溶融接合させ、半導体装置8をマザーボード9に実装する。
請求項（抜粋）：
半導体チップ、半導体パッケージ、配線基板の間の接続に用いられる電極構造において、Ni(ニッケル)-Cu(銅)-Sn(錫)金属間化合物あるいはNi-Pd(パラジウム)-Sn金属間化合物から成るNi拡散抑制層を挟んで、前記電極構造を構成するSn含有のハンダで成る接合体が前記電極構造を構成するNi層あるいはNi合金層に接合していることを特徴とする半導体装置。
FI (7件)：
H01L 21/92 603 E
, H01L 21/92 603 B
, H01L 21/92 602 H
, H01L 21/92 602 C
, H01L 21/92 604 E
, H01L 21/92 604 D
, H01L 21/92 604 H
