特許

J-GLOBAL ID：200903081297546290

窒化ガリウム系化合物半導体装置

発明者： 酒井 士郎
出願人/特許権者： 酒井 士郎 ,  ナイトライド・セミコンダクター株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-358412
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164570
出願日： 2000年11月24日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系発光素子において、光の取り出し効率を向上させる。【解決手段】 窒化ガリウム系発光素子は、サファイア基板10上にn型GaNバッファ層12、n型GaN層14、InGaN発光層16、p型GaN層18、n型電極20、p型電極22を順次形成することで構成される。p型GaN層上でp型電極22に隣接してZnO透明電極21を形成する。ZnO透明電極21により電流を発光層に均一に供給するとともに、発光層からの光を透過して外部に取り出す。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系化合物半導体装置であって、電極としてZnO透明電極を有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/43

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 29/46 H

Fターム (15件)：

4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB06 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104FF01 ,  4M104GG04 ,  4M104HH20 ,  5F041AA03 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-098621   出願人：日亜化学工業株式会社
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-344452   出願人：日立電線株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-128452   出願人：シャープ株式会社