特許
J-GLOBAL ID:200903018580220365
発光ダイオード
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
絹谷 信雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-344452
公開番号(公開出願番号):特開2000-174344
出願日: 1998年12月03日
公開日(公表日): 2000年06月23日
要約:
【要約】【課題】 駆動電圧の上昇を抑え、且つ、低価格で高輝度のAlGaInPの発光ダイオードを提供する。【解決手段】 AlGaInP活性層3を、該AlGaInP活性層3よりバンドギャップエネルギーの高いAlGaInP及びAlGaAsの単層あるいは複数層からなるp型クラッド部4、5とn型クラッド部2とで挟み込み、p型クラッド部4、5側の表面にp側電極9を形成した発光ダイオードにおいて、p型クラッド部4、5の表面のうち上記p側電極9以外の面上に透明導電膜7を形成する。
請求項(抜粋):
AlGaInP活性層を、該AlGaInP活性層よりバンドギャップエネルギーの高いAlGaInP及びAlGaAsの単層あるいは複数層からなるp型クラッド部とn型クラッド部とで挟み込み、p型クラッド部側の表面にp側電極を形成した発光ダイオードにおいて、p型クラッド部の表面のうち上記p側電極以外の面上に透明導電膜を形成したことを特徴とする発光ダイオード。
Fターム (10件):
5F041AA21
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA65
, 5F041CA82
, 5F041CA85
, 5F041CA88
, 5F041CA92
引用特許:
審査官引用 (12件)
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発光ダイオード
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-033462
出願人:昭和電工株式会社
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AlGaInP系発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-216403
出願人:信越半導体株式会社
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特開平1-225178
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