特許
J-GLOBAL ID：200903081313436158
半導体素子の製造方法および半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-350312
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210907
出願日： 2000年11月16日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：
【要約】【課題】 端面窓構造の半導体レーザ素子において、再現性のある安定なエッチングを可能にする不純物拡散方法を提供するとともに、導波損失を低減させ、製造歩留まりおよび信頼性を向上させることを目的とする。【解決手段】 不純物拡散領域111を形成する際、拡散制御薄膜としてp型GaAsキャップ層108を、拡散源であるZnO膜115とダブルヘテロ構造との間に設けることにより、ダブルヘテロ構造中のp型AlGaInP第2クラッド層106およびp型GaInPエッチング停止層105内に存在するZn濃度を低濃度に維持しながら、量子井戸構造の活性層103の無秩序化を容易に達成し得る。従って、リッジストライプを形成するエッチングの際、p型GaInPエッチング停止層105を貫通してエッチングが進行することなく、所望のリッジ形状を形成し得る。
請求項（抜粋）：
第一導電型半導体基板上に半導体積層構造を形成する工程であって、該半導体積層構造は、第一導電型クラッド層と、量子井戸活性層と、第一の第二導電型クラッド層と、を含む工程と、該半導体積層構造上の所定の領域に拡散制御層を形成する工程と、該拡散制御層上に不純物拡散源となる材料層を形成する工程と、第一の熱処理によって、該拡散制御層を介して該材料層から不純物を該半導体積層構造中の少なくとも一部に拡散させて不純物拡散領域を形成する工程と、を包含する、少なくとも1つの共振器端面部に位置する該量子井戸活性層の一部が、該不純物の拡散により無秩序化されている、半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 5/16
, H01S 5/223
, H01S 5/343
H01S 5/16
, H01S 5/223
, H01S 5/343
5F073AA13
, 5F073AA51
, 5F073AA53
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073CA14
, 5F073CB10
, 5F073DA13
, 5F073DA22
, 5F073DA35
