特許
J-GLOBAL ID：200903081317863280

薄膜電界効果トランジスタ、およびその製造方法

発明者：
川上 春雄

川上 春雄 について

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加藤 久人

加藤 久人 について

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前田 賢彦

前田 賢彦 について

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関根 伸行

関根 伸行 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (5件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文 ,  岡本 正之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-379536
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261640
出願日： 2005年12月28日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：
【課題】 有機薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜上のチャネルへの電荷蓄積を容易にし、高い周波数特性を実現することを目的とする。【解決手段】 本発明によると、基板110と、前記基板の上に設けられたゲート電極111と、前記ゲート電極の上に設けられたゲート絶縁膜112と、前記ゲート絶縁膜の上に設けられ、第1の有機電子材料を含有する第1の有機電子材料膜113と、前記第1の有機電子材料膜の上に設けられ、第2の有機電子材料と電子受容性材料または電子供与性材料とを含有する第2の有機電子材料膜130と、前記第1の有機電子材料膜および/または前記第2の有機電子材料膜と電気的に接して別個に設けられたソース電極115およびドレイン電極114とを有する薄膜電界効果トランジスタ、およびその製造方法が提供される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板の上に設けられたゲート電極と、 前記ゲート電極の上に設けられたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜の上に設けられ、第1の有機電子材料を含有する第1の有機電子材料膜と、 前記第1の有機電子材料膜の上に設けられ、第2の有機電子材料と電子受容性材料または電子供与性材料とを含有する第2の有機電子材料膜と、 前記第1の有機電子材料膜および/または前記第2の有機電子材料膜と電気的に接して別個に設けられたソース電極およびドレイン電極と を有する薄膜電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30
FI (5件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220A ,  H01L29/28 250H
Fターム (23件)：
4C062HH01 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF24 ,  5F110GG05 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 発光素子およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-067185   出願人：パイオニア株式会社
  • 表示装置
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-519496   出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
  • 有機電界効果トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-142565   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
審査官引用 (3件)

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