特許

J-GLOBAL ID：200903081330512046

半導体装置およびその製造方法

発明者： 野上 毅 ,  駒井 尚紀 ,  鬼頭 英至 ,  田口 充
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-224884
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043315
出願日： 2000年07月26日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】 銅配線表面に、耐酸化性、耐フッ酸性に優れた被膜を形成して、銅配線の耐酸化性、耐フッ酸性の向上を図るとともに、ビア接続抵抗を低減して、信頼性の高い銅配線構造を形成する。【解決手段】 コバルトを含む層(CoWP層)15と、CoWP層15を被覆するもので耐酸化性および耐フッ酸性を有する被覆層(CoSi2 層)16とを備えたものであり、CoWP層15は銅配線14表面に形成されているものである。

請求項（抜粋）：

コバルトを含む層と、前記コバルトを含む層を被覆するもので耐酸化性および耐フッ酸性を有する被覆層とを備えたことを特徴とする半導体装置。

FI (3件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 Q

Fターム (24件)：

5F033HH12 ,  5F033HH15 ,  5F033HH25 ,  5F033HH32 ,  5F033HH34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ79 ,  5F033RR04 ,  5F033XX05 ,  5F033XX18 ,  5F033XX20 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平2-125431
  
• 特開昭56-015070
  
• 特開平2-106971
  
• コバルトシリサイド層のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-246104   出願人：コンソルツィオペルラリセルカスーラマイクロエレットロニカネルメッツォジオルノ
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-316324   出願人：日本電気株式会社
• 銅系金属用研磨液および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-263613   出願人：株式会社東芝