特許
J-GLOBAL ID：200903081338074102
成膜装置及び成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-297876
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150701
出願日： 2004年10月12日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】 ドーパントの活性化率の高いシリコンゲルマニウム膜を成膜するにあたり、シリコンゲルマニウム膜のマイグレーションを抑えること。【解決手段】 シリコンゲルマニウム膜を第1の温度で成膜した後、第2の温度まで昇温して例えばポリシリコンからなるキャップ層を成膜する場合、処理雰囲気の温度を第1の温度から第2の温度に向かって昇温する過程において、シリコンゲルマニウム膜の動きを抑えるためにシラン系のガスを反応容器内に供給して当該シリコンゲルマニウム膜の表面をシリコンからなるコーティング層で覆う。またシリコンゲルマニウム膜を成膜後に反応容器内を真空引きしてウエハを搬出する工程を行う場合には、反応容器内を成膜温度から降温させながら水素ガスによりシリコンゲルマニウム膜をアニールし、真空排気時のマイグレーションを抑える。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
反応容器内に処理ガスを供給すると共に処理雰囲気の温度を第1の温度に設定して基板上にシリコンゲルマニウム膜を成膜する工程と、
次いで処理雰囲気の温度を第1の温度から第2の温度に向かって昇温すると共に、昇温中にシリコンゲルマニウム膜の動きを抑えるためにシラン系のガスを反応容器内に供給して当該シリコンゲルマニウム膜をシリコンからなるコーティング層により覆う工程と、
前記処理雰囲気の温度が第2の温度に安定した後、反応容器内にシラン系のガスを供給して前記コーティング層の表面にシリコン膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F045AA03
, 5F045AB01
, 5F045AB02
, 5F045AC01
, 5F045AD08
, 5F045BB16
, 5F045DP19
, 5F045DQ05
, 5F045HA16
, 5F045HA22
