半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-282730
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094021
出願日： 2000年09月18日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】強誘電体キャパシタを有する半導体装置に関し、多層配線構造の下に形成される強誘電体キャパシタの劣化を抑制すること。【解決手段】下部電極16aと強誘電体膜17aと上部電極18aからなるキャパシタ20と、キャパシタ20の上に形成された第1保護膜19と、第1保護膜19の上に形成された第1配線21aと、第1配線21aの上に形成された第1絶縁膜24と、第1絶縁膜24上に形成された第2配線25aと、第2配線25aの上に形成された第2絶縁膜26とを有し、第1絶縁膜24と第1配線22aの間に形成されてキャパシタ20を覆う第2保護膜23と、第2絶縁膜26の上であってキャパシタ20を覆い且つアース電位の第3保護膜30bとの少なくとも一方を有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上方に形成された下部電極と強誘電体材料又は高誘電体材料からなる誘電体膜と上部電極とからなるキャパシタと、前記キャパシタの上に形成された第1の保護膜と、前記第1の保護膜と前記キャパシタの上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上に形成された第1の配線と、前記第1の配線の上であって少なくとも前記キャパシタを覆う第2の保護膜と、前記第2の保護膜の上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜の上に形成された第2の配線と、前記第2の配線と前記第2の絶縁膜の上に形成された第3の絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/105 , H01L 21/3205 , H01L 21/768 , H01L 27/10 461 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (6件)：

H01L 27/10 461 , H01L 27/10 444 B , H01L 21/88 S , H01L 21/90 K , H01L 27/10 621 Z , H01L 27/10 681 F

Fターム (64件)：

5F033HH09 , 5F033HH18 , 5F033HH33 , 5F033JJ09 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK09 , 5F033KK18 , 5F033KK33 , 5F033MM08 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN37 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ74 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033VV00 , 5F033VV05 , 5F033VV16 , 5F033XX00 , 5F083FR02 , 5F083GA13 , 5F083GA21 , 5F083JA05 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA33 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083MA06 , 5F083MA18 , 5F083MA19 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083NA08 , 5F083PR03 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5F083PR39 , 5F083PR40 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR46 , 5F083ZA12

引用特許：

審査官引用 (4件)

強誘電体を用いた半導体集積回路とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-150946 出願人：日本電気株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-292162 出願人：株式会社日立製作所
強誘電体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-254378 出願人：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション

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