特許
J-GLOBAL ID：200903081409290898
シリコン結晶、その製造装置及び製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
田辺 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-167769
公開番号（公開出願番号）：特開平11-049598
出願日： 1998年06月02日
公開日（公表日）： 1999年02月23日
要約：
【要約】【課題】 結晶中の酸素濃度を低減することができ、大口径化も可能なものとする。【解決手段】 原料の多結晶シリコンと成長させるシリコン結晶の間にゲルマニウム融液層を介在させる。ゲルマニウム融液層を通過させて原料の多結晶シリコンを再結晶化させ、ゲルマニウム混入量を0.005〜0.01atoms/cm3 とする。原料の多結晶シリコン18とゲルマニウム融液層19を保持する保持手段10、30、41を設け、保持手段10、30、41の外側に加熱用のヒータ17、37を設け、ゲルマニウム融液層を通して原料多結晶シリコンを再び結晶化させ、シリコン結晶を成長させる。
請求項（抜粋）：
固体のシリコン原料(18)と結晶成長させるシリコン結晶(20、22、23)の間にゲルマニウム融液層(19)を介在させるシリコン結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 502
, C01B 33/02
C30B 29/06 502 Z
, C01B 33/02 E
