特許
J-GLOBAL ID：200903081445006144
磁気検出素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-121896
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318460
出願日： 2002年04月24日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：
【要約】【課題】 ΔRAを効果的に大きくできると共に、フリー磁性層と固定磁性層との磁化を従来に比べてより簡単に且つ確実に直交化させることが可能な磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 固定磁性層24を第1硬磁性層21と非磁性層22と第2硬磁性層23の積層構造とすることで、従来に比べてフリー磁性層と固定磁性層との磁化を簡単に且つ確実に直交化させることが可能である。また本発明では、前記固定磁性層24の膜厚を従来に比べて厚くすることができる。したがって抵抗変化量(ΔR)と膜面と平行な方向の素子面積(A)との積(ΔRA)を向上させることが可能になる。
請求項（抜粋）：
フリー磁性層と、このフリー磁性層に非磁性材料層を介して形成された固定磁性層とを有する多層膜を有し、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れる磁気検出素子において、前記固定磁性層には硬磁性材料で形成された硬磁性領域が存在し、前記固定磁性層はハイト方向と平行な方向に磁化固定されており、前記フリー磁性層の磁化はトラック幅方向と平行な方向に向けられていることを特徴とする磁気検出素子。
IPC (7件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01F 41/22
, H01L 43/12
H01L 43/08 M
, H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01F 41/22
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
2G017AA01
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5D034BA03
, 5D034DA07
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049BA16
, 5E049CB01
, 5E049JC01
