特許
J-GLOBAL ID：200903081453397594

電流制御型半導体スイッチング素子用回路

発明者：
唐木 俊郎

唐木 俊郎 について

, 
クライソン トロンナムチャイ

クライソン トロンナムチャイ について


出願人/特許権者：
日産自動車株式会社

日産自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-178574
公開番号（公開出願番号）：特開2004-023638
出願日： 2002年06月19日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】ツェナーダイオードを用いずに過電圧保護および過電流保護を実現する。【解決手段】メインパワートランジスタ8と、メインパワートランジスタ8のミラートランジスタ9と、メインパワートランジスタ8のオン/オフ制御を行う制御手段IN,4,5,12,13と、ミラートランジスタ9に流れるリーク電流に基づいて、メインパワートランジスタ8に加わる過電圧を検出する過電圧検出手段11,12,16と、ミラートランジスタ9に流れる電流に基づいて、メインパワートランジスタ8に流れる過電流を検出する過電流検出手段11,12,15とを備え、制御手段IN,4,5,12,13は、メインパワートランジスタ8の過電圧状態が検出されるとメインパワートランジスタ8をオンにし、メインパワートランジスタ8の過電流状態が検出されると、メインパワートランジスタ8をオフにする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電流制御型半導体スイッチング素子と、 前記電流制御型半導体スイッチング素子のミラー素子と、 前記電流制御型半導体スイッチング素子のオン/オフ制御を行う制御手段と、前記ミラー素子に流れるリーク電流に基づいて、前記電流制御型半導体スイッチング素子に加わる過電圧を検出する過電圧検出手段と、 前記ミラー素子に流れる電流に基づいて、前記電流制御型半導体スイッチング素子に流れる過電流を検出する過電流検出手段とを備え、 前記制御手段は、前記過電圧検出手段により前記電流制御型半導体スイッチング素子の過電圧状態が検出されると、前記電流制御型半導体スイッチング素子をオンにし、前記過電流検出手段により前記電流制御型半導体スイッチング素子の過電流状態が検出されると、前記電流制御型半導体スイッチング素子をオフにすることを特徴とする電流制御型半導体スイッチング素子用回路。
IPC (4件)：
H03K17/08 ,  H02M1/00 ,  H02M1/08 ,  H03K17/64
FI (5件)：
H03K17/08 B ,  H02M1/00 E ,  H02M1/00 H ,  H02M1/08 A ,  H03K17/64
Fターム (32件)：
5H740BA11 ,  5H740BB10 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740GG04 ,  5H740HH05 ,  5H740JA01 ,  5H740MM02 ,  5H740MM12 ,  5J055AX34 ,  5J055AX55 ,  5J055AX64 ,  5J055BX16 ,  5J055CX13 ,  5J055DX04 ,  5J055DX22 ,  5J055DX55 ,  5J055EX01 ,  5J055EX06 ,  5J055EX11 ,  5J055EY01 ,  5J055EY17 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ00 ,  5J055EZ07 ,  5J055EZ08 ,  5J055EZ26 ,  5J055FX07 ,  5J055FX13 ,  5J055FX17 ,  5J055FX36 ,  5J055GX01
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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