特許
J-GLOBAL ID：200903081455343173
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-309781
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146593
出願日： 2002年10月24日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】導電性基板上に化合物半導体からなる発光層形成部を有する半導体積層部を、金属層を介して貼り合せることにより形成する半導体発光素子の輝度をさらに向上させることができる構造を提供する。【解決手段】発光層形成部3を有する半導体積層部10と導電性基板1とが金属層2を介して接着されることにより形成されている。本発明では、金属層2が、半導体積層部10とオーミック接触させる第1金属層21と、Agからなる第2金属層22と、導電性基板1と低温接着可能とする金属からなる第3金属層23とを少なくとも有していることに特徴がある。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
発光層形成部を有する半導体積層部と導電性基板とが金属層を介して接着されることにより形成される半導体発光素子であって、
前記金属層は、前記半導体積層部とオーミック接触させる第1金属層と、Agからなる第2金属層と、前記導電性基板と前記半導体積層部との接合を低温で可能とする金属からなる第3金属層と、を少なくとも有する半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L33/00 B
, H01L21/28 301B
, H01L21/28 301R
4M104AA04
, 4M104BB09
, 4M104BB10
, 4M104CC01
, 4M104DD78
, 4M104GG04
, 5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA08
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA77
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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