特許

J-GLOBAL ID：200903081458033990

炭化珪素-酸化物積層体,その製造方法及び半導体装置

発明者： 山下 賢哉 ,  北畠 真 ,  楠本 修 ,  高橋 邦方 ,  内田 正雄 ,  宮永 良子
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-271321
公開番号（公開出願番号）：特開2005-136386
出願日： 2004年09月17日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【課題】低損失で信頼性の高いMISFETなどを作成するための炭化珪素-酸化物積層体,その製造方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】SiC基板10の上に、熱酸化処理により、主としてSiO2からなる酸化物層であるゲート絶縁膜7’を形成した後、チャンバ20内で不活性なガス雰囲気中でアニールを行なう。その後、真空ポンプ31が付設されたチャンバ30内にSiC基板10を設置して、1100°Cを超え1250°C未満の高温で、減圧されたNOガス雰囲気に炭化珪素-酸化物層積層体Aを暴露すると、ゲート絶縁膜7’内に窒素が拡散して、下部に窒素濃度の高い領域を有する,比誘電率が3.0以上のV族元素含有酸化物層であるゲート絶縁膜7が得られる。V族元素含有酸化物層-炭化珪素層間の界面領域の界面準位密度も低減する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

炭化珪素層と、 上記炭化珪素層の上に形成され、少なくとも下部にV族元素濃度の高い領域を有し、かつ、比誘電率が3.0以上であるV族元素含有酸化物層と を備えている炭化珪素-酸化物積層体。

IPC (3件)：

H01L29/78 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

FI (6件)：

H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652T ,  H01L21/318 C ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658F

Fターム (9件)：

5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC11 ,  5F058BF56 ,  5F058BF62 ,  5F058BF64 ,  5F058BF67 ,  5F058BH02 ,  5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 炭化珪素半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-310865   出願人：株式会社デンソー
• ゲート絶縁膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-183738   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-052396   出願人：工業技術院長, 新エネルギー・産業技術総合開発機構
• 半導体トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-096451   出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Improved Inversion Channel Mobility for 4H-SiC MOSFETs Following High Temperature Anneals in Nitric