特許
J-GLOBAL ID：200903081517345640

半導体発光装置およびその製造方法

発明者：
野村 裕子

野村 裕子 について

, 
森 健一

森 健一 について

, 
高須 勲

高須 勲 について

, 
杉 啓司

杉 啓司 について

, 
雨宮 功

雨宮 功 について

, 
依田 美保

依田 美保 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (2件)： 菊池 治 ,  大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-132553
公開番号（公開出願番号）：特開2008-288410
出願日： 2007年05月18日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：
【課題】半導体発光装置において、簡便で製造性が高く低コストの構造とし、しかも、個体に応じた光学補正ができ、発光効率を向上し、発光の均一性と用途に応じた配光指向性の向上を可能とする。【解決手段】半導体発光装置製造方法は、平板基板上に半導体発光素子を実装する工程S1と、平板基板上で半導体発光素子の周囲を満たしてドーム状に覆うように少なくとも蛍光体層および被覆樹脂層を順次積層して半導体発光装置を形成する工程S3,S4と、形成された半導体発光装置の発光状態を測定する工程S5と、測定結果に基づいて発光分布を調整するために被覆樹脂層の最表面に凸レンズ部を、液滴吐出装置を用いて形成する工程S6,S7と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
平板基板上に半導体発光素子を実装する実装工程と、 前記実装工程の後に、前記平板基板上で前記半導体発光素子の周囲を満たしてドーム状に覆うように少なくとも蛍光体層および被覆樹脂層を順次積層して半導体発光装置を形成する積層工程と、 前記積層工程で形成された前記半導体発光装置の発光状態を測定する測定工程と、 前記測定工程での測定結果に基づき、前記半導体発光装置の発光分布を調整するために前記被覆樹脂層の最表面に凸レンズ部を、液滴吐出装置を用いて形成する凸レンズ部形成工程と、 を備えたことを特徴とする半導体発光装置製造方法。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (10件)：
5F041AA06 ,  5F041AA14 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA43 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA57 ,  5F041EE15 ,  5F041EE25
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM