特許
J-GLOBAL ID：200903081606178773
エピタキシャルウェーハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-055365
公開番号（公開出願番号）：特開2005-244127
出願日： 2004年02月27日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】 砒素がドーパントとされたシリコンウェーハ表面に成長させるエピタキシャル膜の表面にピットが存在しないエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 比抵抗が2.5mΩ・cm〜6.0mΩ・cmを有する砒素がドーパントとされたシリコンウェーハを準備する。そして、シリコンウェーハの表面が親水面となるように洗浄する。この後、シリコンウェーハについて水素ベークを施す。さらにこの後連続して、シリコンウェーハの表面に厚さ10μm以下の薄膜のエピタキシャル膜を成膜する。よって、従来設けていたエピタキシャル膜成膜前の塩酸ガスエッチング工程を省略している。この結果、厚さが10μm以下の薄膜のエピタキシャル膜を備えたエピタキシャルウェーハであっても、下地のシリコンウェーハのCOPに起因したエピタキシャル膜のピット数を低減することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
比抵抗が2.5mΩ・cm〜6.0mΩ・cmとなるように砒素がドープされたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜を成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法であって、
シリコンウェーハの表面を親水面となるように洗浄する工程と、
上記洗浄工程の後、シリコンウェーハを水素ガス雰囲気で熱処理する工程と、
上記熱処理工程の後連続して、シリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜を成長させる工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L21/324
, H01L21/20
, H01L21/205
, H01L21/304
H01L21/324 X
, H01L21/20
, H01L21/205
, H01L21/304 647Z
5F045AA03
, 5F045AB02
, 5F045AC05
, 5F045AC19
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AF03
, 5F045BB12
, 5F045CA05
, 5F045DA67
, 5F045EB13
, 5F045HA06
, 5F052CA02
, 5F052KA05
