特許
J-GLOBAL ID：200903099547771879
半導体ウエハ製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 正年 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-098149
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283924
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 従来より表面荒さや汚染の発生が低減され、高清浄なウエハ表面が得られるような酸化保護膜の除去が行える半導体ウエハ製造方法の提供。【解決手段】 エピタキシャル成長炉内への搬入前に半導体ウエハ表面に酸化保護膜を設けておき、搬入後に炉内で酸化保護膜を除去して、所要のエピタキシャル成長による成膜を行う半導体ウエハの製造方法において、5×10-6Pa以下の炉内圧力下で800°C以上、1000°C以下の加熱処理で前記酸化保護膜の除去を行う。また、炉内圧力が10Torr以上、760Torr以下の水素雰囲気中で800°C以上、1000°C以下の加熱処理で前記酸化保護膜の除去を行う。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハにエピタキシャル成長による薄膜を設けるに際し、エピタキシャル成長炉内への搬入前に半導体ウエハ表面に酸化保護膜を設けておき、搬入後に炉内で前記酸化保護膜を除去して、所要のエピタキシャル成長による成膜を行う半導体ウエハの製造方法であって、前記酸化保護膜の除去工程は、5×10-6Pa以下の炉内圧力下で800°C以上、1000°C以下の加熱処理を行うことを特徴とする半導体ウエハ製造方法。
引用特許：
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