3族窒化物半導体レーザ素子

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-227890
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056236
出願日： 1996年08月08日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】活性層においてキャリアを十分に閉じ込めてレーザの出力を向上させること。【解決手段】In0.2Ga0.8N/GaN の単一量子井戸構造の活性層5の両側を活性層5よりも禁制帯幅の広いGaN のガイド層41、62で挟み、さらに、両側からAl0.08Ga0.92N から成るクラッド層4、71で挟み込み、キャリアの閉じ込めと光の閉じ込めとを分離させたレーザ素子において、ガイド層41、62の厚さの一部において、そのガイド層41、62の禁制帯幅よりも、より広い禁制帯幅を有するAl0.15Ga0.75N から成るストッパ層42、61を形成した。

請求項（抜粋）：

3族窒化物半導体により形成され、活性層の両側を活性層よりも禁制帯幅の広いガイド層で挟み、さらに、両側からクラッド層で挟み込み、キャリアの閉じ込めと光の閉じ込めとを分離させたレーザ素子において、前記ガイド層の厚さの一部において、そのガイド層の禁制帯幅よりも、より広い禁制帯幅を有する混晶比の3族窒化物半導体から成るストッパ層を形成したことを特徴とする3族窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-067114 出願人：松下電器産業株式会社
半導体光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-164732 出願人：古河電気工業株式会社
特開昭64-007587

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