半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-164688
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017006
出願日： 1997年06月20日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の製造において、工程数が少なく、膜厚の制御性がよく、膜からのガスの発生に由来するピンホールおよび/またはボイドの発生が少なく、不純物含量が小さく、かつ比誘電率が低い有機高分子絶縁膜を成膜する方法を提供する。【解決手段】有機高分子絶縁膜を形成し得るモノマーまたはオリゴマーであって、好ましくは重合に際して副反応生成物を発生しないものを気相輸送し半導体基板表面または下地絶縁膜表面およびその上に設けられた配線表面において熱重合させて有機高分子膜を成膜する。

請求項（抜粋）：

半導体装置を製造するに当り、有機高分子絶縁膜を形成し得るモノマーまたはオリゴマーを気相輸送し、半導体基板表面または下地絶縁膜表面およびその上に設けられた配線表面において熱重合させて有機高分子絶縁膜を成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/312

FI (3件)：

H01L 21/90 S , H01L 21/312 A , H01L 21/90 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

誘電体膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-273838 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-258744 出願人：富士通株式会社
特開平4-180552

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