特許
J-GLOBAL ID：200903081658530041

インジウムリッチクラスタを有する第III族窒化物量子井戸構造体及びその製造方法

発明者：
カーリセック,ロバート,エフ.,ジュニア

カーリセック,ロバート,エフ.,ジュニア について

, 
トゥラン,チャオン

トゥラン,チャオン について


出願人/特許権者：
エムコア・コーポレイション

エムコア・コーポレイション について


代理人 (1件)： 藤井 紘一 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-583089
公開番号（公開出願番号）：特表2003-535453
出願日： 1999年11月16日
公開日（公表日）： 2003年11月25日
要約：
【要約】発光ダイオードの量子井戸構造体(18)の形成において、各井戸層(34)は、2段階法により形成される。第1の段階においては、ガリウムとインジウムの比較的高いフラックス率が使用される。第2段階においては、ガリウムとインジウムの低いフラックス率が使用される。井戸層(34)は、層(34)の水平方向に亘って変化し、かつ、インジウムプア材料(38)により囲まれるインジウムリッチの材料のクラスタを多くの場合含む組成を有するように形成される。得られる構造体は、高い輝度を呈するとともに、狭くて明瞭な発光スペクトルを有する。
請求項（抜粋）：
1つ以上の井戸層と2つ以上のバリヤ層とを備え、前記各層は水平方向に延び、前記層は各井戸層が2つのバリヤ層の間に配置されるように互いに交互に重ねられ、前記バリヤ層は前記井戸層よりも広いバンドギャップを有しており、前記井戸層は式InyGa1-yNに係りy>0である平均組成を有し、前記各井戸層は井戸層の水平方向に互いに亘って互いに散在するインジウムリッチクラスタとインジウムプア領域とを有することを特徴とする発光装置の量子井戸構造体。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343 610
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 5/343 610
Fターム (12件)：
5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CA20 ,  5F073DA05 ,  5F073EA24
引用特許：
審査官引用 (4件)
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