特許
J-GLOBAL ID：200903081758143380

III族窒化物膜の製造方法、III族窒化物膜製造用サファイア単結晶基板、及びエピタキシャル成長用基板

発明者：
柴田 智彦

柴田 智彦 について

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角谷 茂明

角谷 茂明 について

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浅井 圭一郎

浅井 圭一郎 について

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田中 光浩

田中 光浩 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について


代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-169274
公開番号（公開出願番号）：特開2002-362999
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年12月18日
要約：
【要約】【課題】サファイア単結晶基板上において、低転位のAl含有III族窒化物膜を形成することが可能な、新規なIII族窒化物膜の製造方法を提供する。【解決手段】サファイア単結晶基板1をアンモニア雰囲気などの窒素含有雰囲気中に配置し、所定時間加熱することによって表面窒化層部分1Bを形成する。次いで、表面窒化層部分1B上にAl含有III族窒化物膜2を形成する。
請求項（抜粋）：
サファイア単結晶基板上にAlを含むIII族窒化物膜を製造する方法であって、前記サファイア単結晶基板の表面に1nm以下の厚さの表面窒化層を形成した後、前記サファイア単結晶基板上に、前記表面窒化層を介して前記III族窒化物膜を形成することを特徴とする、III族窒化物膜の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (4件)：
C30B 29/38 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Fターム (21件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE13 ,  4G077DB01 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077TK08 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE23 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F052KA01
引用特許：
審査官引用 (3件)

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