特許
J-GLOBAL ID:200903081774887720

洗浄・塗布処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 木下 茂
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-341960
公開番号(公開出願番号):特開2004-179282
出願日: 2002年11月26日
公開日(公表日): 2004年06月24日
要約:
【課題】振動や反りによる被処理基板の破損が回避され、しかも被処理基板を連続的に効率よく処理することができる洗浄・塗布処理装置を提供すること。【解決手段】液体洗浄処理前の基板Gをドライ洗浄するために、該基板表面にプラズマを照射するプラズマ照射ユニットP1と、液体洗浄処理後の基板Gを乾燥処理するために、該基板表面に熱プラズマを照射するプラズマ照射ユニットP2と、前記乾燥処理された基板G表面を疎水化処理するために、該基板表面にプラズマを照射するプラズマ照射ユニットP3とを具備する。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
被処理基板を洗浄し、洗浄された被処理基板にレジスト液を塗布する、洗浄およびレジスト液塗布処理のための洗浄・塗布処理装置において、 前記被処理基板をドライ洗浄するために、該基板表面にプラズマを照射する第1のプラズマ照射手段と、 前記ドライ洗浄後の被処理基板表面を疎水化処理するために、該基板表面にプラズマを照射する第2のプラズマ照射手段と を少なくとも具備することを特徴とする洗浄・塗布処理装置。
IPC (1件):
H01L21/027
FI (1件):
H01L21/30 563
Fターム (2件):
5F046HA03 ,  5F046HA05
引用特許:
審査官引用 (7件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-212081   出願人:株式会社ジャパンエナジー
  • レジストパターン形成方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-009578   出願人:シャープ株式会社
  • 特開昭57-085233
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