特許
J-GLOBAL ID：200903081800709437

光起電力装置およびその製造方法

発明者：
寺川 朗

寺川 朗 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-008946
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221437
出願日： 2003年01月17日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】出力特性を向上させることが可能な光起電力装置を提供する。【解決手段】この光起電力装置は、表面、側面および裏面を有し、表面側から光が入射されるn型単結晶シリコン基板1と、n型単結晶シリコン基板1の表面、側面および裏面の実質的に全面を覆うように形成され、実質的に真性なノンドープ非晶質シリコン膜2と、n型単結晶シリコン膜1の表面上に位置するノンドープ非晶質シリコン膜2上に形成されたp型非晶質シリコン膜3と、p型非晶質シリコン膜3上に形成された表面電極4と、n型単結晶シリコン基板1の裏面上に位置するノンドープ非晶質シリコン膜2上に、p型非晶質シリコン膜3と接触しないように形成されたn型非晶質シリコン膜13とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面、側面および裏面を有し、前記表面側から光が入射される結晶系半導体基板と、 前記結晶系半導体基板の表面、側面および裏面の実質的に全面を覆うように形成され、実質的に真性な第1非晶質半導体膜と、 前記結晶系半導体基板の表面上に位置する前記第1非晶質半導体膜上に形成された第1導電型の第2非晶質半導体膜と、 前記第2非晶質半導体膜上に形成された第1電極膜と、 前記結晶系半導体基板の裏面上に位置する前記第1非晶質半導体膜上に、前記第2非晶質半導体膜と接触しないように形成された第2導電型の第3非晶質半導体膜とを備えた、光起電力装置。
IPC (1件)：
H01L31/04
FI (1件)：
H01L31/04 B
Fターム (10件)：
5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051CA15 ,  5F051CA35 ,  5F051CA36 ,  5F051DA04 ,  5F051DA07 ,  5F051DA20 ,  5F051FA04 ,  5F051GA04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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