光電子集積回路素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-079421
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274467
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】シリコン基板上に化合物半導体からなる発光層をモノリシックに集積したOEIC素子を提供する。【解決手段】シリコン基板上に電子回路部と光回路部とを有し、同じくシリコン基板上に形成された化合物半導体からなる発光層を介して前記電子回路部の電気信号と前記光回路部の光信号との変換を行う光電子集積回路素子であって、前記シリコン基板上にはZnO膜が形成され、該ZnO膜上に前記発光層を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に電子回路部と光回路部とを有し、同じくシリコン基板上に形成された化合物半導体からなる発光層を介して前記電子回路部の電気信号と前記光回路部の光信号との変換を行う光電子集積回路素子であって、前記シリコン基板上にはZnO膜が形成され、該ZnO膜上に前記発光層を形成したことを特徴とする光電子集積回路素子。

IPC (3件)：

H01L 27/15 , H01L 21/203 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 27/15 B , H01L 21/203 M , H01L 33/00 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-192075 出願人：日本電気株式会社
機能素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-265551 出願人：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
半導体装置,及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-321725 出願人：三菱電機株式会社

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