特許

J-GLOBAL ID：200903081833616310

半導体装置

発明者： 大野 泰夫 ,  羽山 信幸 ,  笠原 健資 ,  中山 達峰 ,  宮本 広信 ,  高橋 裕之 ,  安藤 裕二 ,  松永 高治 ,  葛原 正明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-265783
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076329
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】III族窒化物半導体素子において、生産性、放熱特性および素子の高速動作性を改善すること。【解決手段】A面((11-20)面)を主面とするサファイア基板上にIII族窒化物半導体からなるエピタキシャル成長層を形成し、その上にゲート電極16、ソース電極15およびドレイン電極17を形成する。これらの電極の延在方向を、サファイアC軸に対して20 ゚以内の角度となるように配置する。

請求項（抜粋）：

単結晶サファイア基板上に形成されたIII族窒化物半導体層と、前記III族窒化物半導体層の表面に離間して形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成されたゲート電極と、を有する半導体装置であって、前記III族窒化物半導体層は、前記単結晶サファイア基板のA面上に形成され、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極は、前記単結晶サファイア基板のC軸となす角が20度以内の方向に延在して形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/201

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/203 ,  H01L 29/80 B

Fターム (26件)：

5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA06 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F102FA00 ,  5F102FA04 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GV03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化物系III-V族化合物半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-248709   出願人：ソニー株式会社
• 絶縁性窒化物層及びその形成方法、半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-241581   出願人：ソニー株式会社