特許
J-GLOBAL ID：200903081845876946
SiCコートカーボンヒータ炉及び成膜装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-122836
公開番号（公開出願番号）：特開2002-317261
出願日： 2001年04月20日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：
【要約】【課題】高融点材料を含有する薄膜を抵抗加熱蒸着法によって成膜するに際し、チャンバ内の酸素ガス濃度を厳密に制御する必要のない成膜可能な成膜装置及びそのような成膜装置に使用可能なカーボンヒータ炉を提供すること。【解決手段】本発明の成膜装置1は、抵抗加熱蒸着法によって基板7の主面に薄膜を成膜する成膜装置であって、チャンバ2と、チャンバ2内に配置された焼結窒化硼素坩堝4と、チャンバ2内に配置され且つ坩堝4の少なくとも一部を取り囲むカーボン発熱体10とそれぞれ発熱体10に電気的に接続された一対の電極11a,11bとを備えたカーボンヒータ3と、チャンバ2内に配置され且つ基板7を着脱可能に及びその薄膜を形成すべき主面が坩堝4の開口部と対向するように支持する支持部材8とを具備し、発熱体10は実質的にカーボンからなる基材とその表面を被覆する窒化珪素被膜とを備えたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
焼結窒化硼素坩堝と、前記焼結窒化硼素坩堝の少なくとも一部を取り囲むカーボン発熱体及びそれぞれ前記カーボン発熱体に電気的に接続された一対の電極を備えたカーボンヒータとを具備し、前記カーボン発熱体は実質的にカーボンからなる基材と前記基材の表面を被覆する窒化珪素被膜とを備えたことを特徴とするSiCコートカーボンヒータ炉。
IPC (3件)：
C23C 14/24
, H05B 3/10
, H05B 3/14
C23C 14/24 A
, H05B 3/10 A
, H05B 3/14 F
3K092PP09
, 3K092QA04
, 3K092QB14
, 3K092QB27
, 3K092QB62
, 3K092VV40
, 4K029DB13
, 4K029DB18
