特許
J-GLOBAL ID：200903081868066631

パターン形成方法およびこれに用いるネガ型ホトレジスト組成物

発明者：
羽田 英夫

羽田 英夫 について

, 
小野寺 純一

小野寺 純一 について

, 
駒野 博司

駒野 博司 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-093073
公開番号（公開出願番号）：特開平10-274853
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 特に、液晶パネル等の10μmライン/10μmスペース前後の微細なパターンが要求されるパターン形成において、再現性に優れ、断線、短絡等の生じないパターンの形成方法、および該パターン形成に適用される、基板との密着性に優れ、耐めっき性の良好な無電解めっき用ネガ型ホトレジスト組成物を提供する。【解決手段】 チオ尿素、メルカプトベンゾチアゾールなどの含硫黄有機化合物を1種または2種以上含有するネガ型ホトレジスト組成物を基板上に塗布、乾燥した後、マスクパターン3を介して選択的に露光し、次いで現像し未露光部分を除去することによってホトレジストパターン4を形成した後、無電解めっき処理により導電パターン5を形成する。
請求項（抜粋）：
チオ尿素、チオフェン、チアゾール、チオナリド、ジフェニルカルバジド、チアゾリン、テトラメチルチオ尿素、メルカプトベンゾチアゾール、メルカプトベンゾトリアゾール、ジベンゾチアジルジスルフィド、N-tert-ブチル-2-ベンゾチアゾリルスルフェンアミド、およびテトラメチルチウラムジスルフィドの中から選ばれる1種または2種以上の含硫黄有機化合物を含有するネガ型ホトレジスト組成物を基板上に塗布、乾燥した後、マスクパターンを介して選択的に露光し、次いで現像し未露光部分を除去することによってホトレジストパターンを形成する、ホトレジストパターンの形成方法。
IPC (5件)：
G03F 7/085 ,  G02F 1/1343 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 601
FI (5件)：
G03F 7/085 ,  G02F 1/1343 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/038 601
引用特許：
審査官引用 (18件)
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