半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤島洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-156831
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057164
出願日： 2001年05月25日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】低耐熱性の基板上に良好な特性を持つ半導体装置を製造することができるようにする。【解決手段】基板10の上に多結晶シリコン層13を形成する。多結晶シリコン層13の上に絶縁層14,ゲート電極15を形成し、このゲート電極15をマスクとして多結晶シリコン層13に不純物を導入して、チャネル領域13a,ソース領域13bおよびドレイン領域13cを自己整合的に形成する。次に、基板10の全面を覆うようにエネルギー吸収層16を形成して、エネルギー吸収層16の側からパルスレーザビームを照射する。エネルギー吸収層16がレーザビームのエネルギーをほぼ完全に吸収し、熱を発散することにより、間接的に下層の熱処理が行われる。すなわち、基板10を熱により損傷することなく不純物の活性化と絶縁層14中の欠陥の除去とが同時に行われる。

請求項（抜粋）：

基板上に半導体層を形成する工程と、前記半導体層上に絶縁層を介して選択的に金属層を形成する工程と、前記金属層をマスクとして前記半導体層に選択的に不純物を導入する工程と、前記絶縁層および前記金属層を覆うようにエネルギー吸収層を形成する工程と、前記エネルギー吸収層の側からエネルギービームを照射し、前記半導体層に導入された不純物を活性化する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 21/265 602 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 21/265 602 C , H01L 29/78 627 F , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 616 V

Fターム (46件)：

5F110AA17 , 5F110BB02 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE38 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF25 , 5F110FF26 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ18 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平2-162764
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-309238 出願人：シャープ株式会社
半導体薄膜の製造方法及び半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-146252 出願人：株式会社リコー

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