特許
J-GLOBAL ID：200903081884108719

半導体モジュール及びその製造方法

発明者：
守田 俊章

守田 俊章 について

, 
栗原 保敏

栗原 保敏 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 鈴木 市郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-025752
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229521
出願日： 2002年02月01日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：
【要約】【課題】実装面積の縮小化、及び薄型化が達成できる高周波パワーモジュールを提供する。【解決手段】多層配線基板1の一方の面側に凹部102を設けるとともに該凹部の底面にバンプを形成し、該バンプ104を介して半導体素子101の一方面側の端子と接続する多層配線基板1と、放熱性配線板105を備え、該放熱性配線板105をSn系のろう材を介して前記半導体素子101の他方の面側の端子と接続してなる回路基板とからなり、前記バンプ104は、AlあるいはAl合金またはAuあるいはAu合金からなり、且つ前記多層配線基板1は少なくとも受動部品を含む回路部品を備える。
請求項（抜粋）：
多層配線基板の一方の面側に凹部を設けるとともに該凹部の底面にバンプを形成し、該バンプを介して半導体素子の一方面側の端子と接続する多層配線基板と、放熱性配線板を備え、該放熱性配線板をSn系のろう材を介して前記半導体素子の他方の面側の端子と接続してなる回路基板とからなり、前記凹部底面に形成したバンプと前記半導体素子の一方の面側の端子とは固相接合してなることを特徴とする半導体モジュール。
IPC (3件)：
H01L 23/40 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/36
FI (3件)：
H01L 23/40 A ,  H01L 23/12 B ,  H01L 23/36 C
Fターム (6件)：
5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BB21 ,  5F036BC06 ,  5F036BC33
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • ハイブリッドモジュール
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-019336   出願人：太陽誘電株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-195175   出願人：松下電器産業株式会社
  • 高周波集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-105461   出願人：ソニー株式会社

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