特許
J-GLOBAL ID:200903028300228019

高周波集積回路装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 隆久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-105461
公開番号(公開出願番号):特開2000-299427
出願日: 1999年04月13日
公開日(公表日): 2000年10月24日
要約:
【要約】【課題】小型化、高集積化され、回路間の電気的干渉が抑制され、放熱特性の良い高周波集積回路装置を提供する。【解決手段】複数の誘電体層5a〜5eが積層された多層基板2と、多層基板2の両面に実装された、能動素子を有する半導体チップ11,21と、多層基板2の層間および表面に形成された回路配線層51,52、53と、多層基板2の表面の少なくとも一方に実装された受動素子からなるチップ部品41とを有する。
請求項(抜粋):
複数の誘電体層が積層された多層基板と、前記多層基板の両面に実装された、能動素子を有する半導体チップと、前記多層基板の層間および表面に形成された回路配線層と、前記多層基板の表面の少なくとも一方に実装された受動素子からなるチップ部品とを有する高周波集積回路装置。
IPC (3件):
H01L 25/00 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18
FI (2件):
H01L 25/00 B ,  H01L 25/04 Z
引用特許:
出願人引用 (15件)
全件表示
審査官引用 (18件)
全件表示

前のページに戻る