多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-254399
公開番号（公開出願番号）：特開平10-104659
出願日： 1996年09月26日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】ポリシリコンTFTの製造方法において、ゲート電極の断面形状に起因するカバレージ不良を低減すると同時に、ゲート電極の端面の下層側に当るチャネル領域の一部に活性化不良領域が発生することを防止する。【解決手段】絶縁性基板上10に形成された多結晶シリコン薄膜12aに、端面がテーパー状に加工されたゲート電極18をマスクとして用いて不純物を注入して、多結晶シリコン薄膜12aの一部にソース・ドレイン領域13、14を形成する。次に、エキシマレーザビーム39を、ゲート電極18の端面の側方から絶縁性基板10の表面に対して斜めに照射する。これによって、ソース・ドレイン領域13、14を活性化すると同時に、ゲート電極18の端面の下層側にもレーザビーム39を入射させて、チャネル領域の一部を活性化する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に形成された多結晶シリコン薄膜にゲート電極をマスクとして用いて不純物を注入して、この多結晶シリコン薄膜の一部にソース・ドレイン領域を形成した後、当該ソース・ドレイン領域にレーザビームを照射して、当該ソース・ドレイン領域を活性化する多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法において、前記レーザビームを前記ゲート電極の端面の側方から前記絶縁性基板の表面に対して斜めに照射することによって、前記ゲート電極の端面の下層側に前記レーザビームを入射させること、を特徴とする多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/78 617 A , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-348473 出願人：株式会社東芝
特開平3-034433
特開平3-283626

全件表示

前のページに戻る