特許
J-GLOBAL ID：200903081944639700

半導体装置

発明者：
原 直紀

原 直紀 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-233200
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060684
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：
【要約】【課題】 電界効果トランジスタに関し、高周波特性を損なうことなくソース・ドレイン間耐圧ならびにゲート・ドレイン間耐圧を向上させることを目的とする。【解決手段】 電界効果トランジスタのゲート電極とドレイン電極間に、ゲート幅方向に不連続的な空乏層変調手段を設け、ゲート電極近傍における電界集中を緩和する。
請求項（抜粋）：
半導体表面に設けられた、ソース電極、ドレイン電極およびそれらの間に設けられたゲート電極、該ゲート電極と該ドレイン電極との間に、該ゲート電極のゲート幅方向に互いに離間して設けられた空乏層変調手段を有する電界効果トランジスタを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/80
FI (2件)：
H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 W
Fターム (21件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK06 ,  5F102GL04 ,  5F102GM06 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ03 ,  5F102GR04 ,  5F102GR06 ,  5F102GR07 ,  5F102GR12 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15
引用特許：
審査官引用 (7件)
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