特許
J-GLOBAL ID：200903081957844648

回路基板およびその製造方法

発明者：
中川 香苗

中川 香苗 について

, 
谷 元昭

谷 元昭 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-210310
公開番号（公開出願番号）：特開2008-041720
出願日： 2006年08月01日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：
【課題】絶縁樹脂層上に密着強度の優れた金属配線層を有する回路基板を提供する。【解決手段】ベース樹脂中に樹脂フィラーを含有した絶縁樹脂層の表面を、UVオゾン照射処理または酸素プラズマ照射処理を施して一部樹脂フィラーを露出させると共にヒドロキシル基などの官能基を生成し、これにシランカップリング剤を反応させ、次いでパラジウム触媒を用いて無電解金属(銅)めっき膜の形成、その上に、電気金属(銅)めっき膜を形成することで、密着強度の優れた金属配線層を有する回路基板を得る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
不飽和炭素結合、カルボニル基、アルコキシ基のうち少なくとも1種類を含む組成からなる樹脂フィラーを、該樹脂フィラーとは異なる組成からなるベース樹脂中に分散させて絶縁樹脂層を形成する絶縁樹脂形成工程と、 前記絶縁樹脂層の表面に、ヒドロキシル基、カルボニル基、カルボキシル基のうち少なくとも1種類の官能基を生成する官能基生成工程と、 前記官能基にシランカップリング剤を吸着ないし反応させるシランカップリング剤処理工程と、 次いで、金属触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに該無電解金属めっき膜上に電気金属めっき膜を形成する金属膜形成工程と、 を、有することを特徴とする回路基板の製造方法。
IPC (2件)：
H05K 3/18 ,  H05K 3/38
FI (2件)：
H05K3/18 B ,  H05K3/38 A
Fターム (6件)：
5E343CC73 ,  5E343DD33 ,  5E343EE36 ,  5E343EE38 ,  5E343EE56 ,  5E343GG02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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