半導体プラズマエッチングチャンバーのための結晶のガス分配器

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-545171
公開番号（公開出願番号）：特表2002-512445
出願日： 1999年04月05日
公開日（公表日）： 2002年04月23日
要約：

【要約】半導体基板を処理するための処理チャンバー(15)は、基板を支持するための支持(20)と、処理チャンバー内に処理ガスを分配するためのガス分配器(35)と、処理ガスを活性化するためのガスエナジャイザーと、処理チャンバーから処理ガスを排出するための排気装置(60)とを備えている。ガス分配器(35)は増加した耐腐食性を供給しすると共に高温に耐える単結晶材料を備えている。好ましくは、熱膨張アイソレーター(115)はガス分配器(35)を支持し、ガス分配器(35)の一部分を異なる量、熱膨張させる。ガス分配器(35)は光線を発する固体材料の透明窓(170)をも備えることができる。ガス分配器(35)は基板(25)に面する透明部分を備えることができ、前記基板に反射し戻すことなく、活性化されたガスからの光放出を通させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板を処理するための処理チャンバーであって、(a)支持と、(b)単結晶材料を有するガス分配器と、(c)排気装置と、を備え、前記支持上の基板は前記ガス分配器により分配された処理ガスにより処理され、該処理ガスは前記排気装置により排出されることを特徴とする処理チャンバー。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01J 37/32 , H05H 1/46

FI (3件)：

H01J 37/32 , H05H 1/46 A , H01L 21/302 B

Fターム (10件)：

5F004AA15 , 5F004BA06 , 5F004BB29 , 5F004BC03 , 5F004DA01 , 5F004DA11 , 5F004DA17 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DA29

引用特許：

審査官引用 (5件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-091124 出願人：株式会社東芝
改良型ガス散布板を用いるエッチング
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-106381 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
ウェハ保持部材及び耐プラズマ用部材
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-014491 出願人：京セラ株式会社

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