特許

J-GLOBAL ID：200903082037122264

単結晶の製造方法

発明者： 星 亮二 ,  渡辺 弘美 ,  布施川 泉
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-010708
公開番号（公開出願番号）：特開2004-224582
出願日： 2003年01月20日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：

【課題】従来廃棄せざるを得なかったドーパント不純物を多く含む結晶の不要部分を再利用し、低抵抗率結晶を育成するために必要な高価な金属エレメントの節約を図ることのできる技術を提供する。【解決手段】単結晶の製造方法であって、少なくとも、チョクラルスキー法によって引上げられた抵抗率0.1Ωcm以下の単結晶インゴットで派生する不要部分を含む原料をルツボで溶融し、再度チョクラルスキー法により抵抗率0.1Ωcm以下の単結晶を製造する単結晶の製造方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

単結晶の製造方法であって、少なくとも、チョクラルスキー法によって引上げられた抵抗率0.1Ωcm以下の単結晶インゴットで派生する不要部分を含む原料をルツボで溶融し、再度チョクラルスキー法により抵抗率0.1Ωcm以下の単結晶を製造することを特徴とする単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B29/06 ,  C30B15/00

FI (2件)：

C30B29/06 502H ,  C30B15/00 Z

Fターム (8件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EB01 ,  4G077EB10 ,  4G077EC05 ,  4G077HA12 ,  4G077PB16

引用特許：

審査官引用 (4件)

• シリコン単結晶基板、エピタキシャルウエーハおよびこれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-190915   出願人：信越半導体株式会社
• シリコン結晶及びシリコン結晶ウエーハ並びにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-292087   出願人：信越半導体株式会社, 信越化学工業株式会社
• シリコン結晶及びシリコン結晶ウエーハ並びにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-296022   出願人：信越半導体株式会社, 信越化学工業株式会社
• パーティクルモニター用単結晶シリコンウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-154132   出願人：信越半導体株式会社