特許
J-GLOBAL ID：200903082062101450

電子デバイス用基板、電子デバイス用基板の製造方法および電子デバイス

発明者：
樋口 天光

樋口 天光 について

, 
岩下 節也

岩下 節也 について

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宮澤 弘

宮澤 弘 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-362742
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163176
出願日： 2001年11月28日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：
【要約】【課題】 立方晶(100)配向または擬立方晶(100)配向でエピタキシャル成長により形成され、ぺロブスカイト構造の金属酸化物を含む導電性酸化物層を有する電子デバイス用基板、かかる電子デバイス用基板を製造する電子デバイス用基板の製造方法、および、かかる電子デバイス用基板を備える電子デバイスを提供すること。【解決手段】 図1に示す電子デバイス用基板100は、Si基板11と、Si基板11上にエピタキシャル成長により形成され、NaCl構造の金属酸化物を含むバッファ層12と、バッファ層12上に立方晶(100)配向または擬立方晶(100)配向でエピタキシャル成長により形成され、ペロブスカイト構造の金属酸化物を含む導電性酸化物層13とを有している。Si基板11は、自然酸化膜を除去しない(100)基板または(110)基板であるのが好ましい。また、バッファ層12は、平均厚さが10nm以下であるのが好ましい。
請求項（抜粋）：
Si基板と、前記Si基板上にエピタキシャル成長により形成され、NaCl構造の金属酸化物を含むバッファ層と、前記バッファ層上に立方晶(100)配向または擬立方晶(100)配向でエピタキシャル成長により形成され、ペロブスカイト構造の金属酸化物を含む導電性酸化物層とを有することを特徴とする電子デバイス用基板。
IPC (9件)：
H01L 21/28 301 ,  C01G 55/00 ,  C30B 29/16 ,  C30B 29/24 ,  H01L 27/105 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22
FI (9件)：
H01L 21/28 301 Z ,  C01G 55/00 ,  C30B 29/16 ,  C30B 29/24 ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 41/08 D ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/22 Z ,  H01L 41/08 C
Fターム (35件)：
4G048AA05 ,  4G048AB01 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AD06 ,  4G048AD08 ,  4G048AE05 ,  4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077BC11 ,  4G077DA03 ,  4G077EF03 ,  4G077HA06 ,  4G077SA04 ,  4M104AA01 ,  4M104BB36 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104DD37 ,  4M104DD41 ,  4M104DD42 ,  4M104FF13 ,  4M104GG19 ,  4M104HH20 ,  5F083FR00 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA45 ,  5F083PR22 ,  5F083PR25
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 表面弾性波素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-002565   出願人：セイコーエプソン株式会社
  • 酸化物電極薄膜
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-304036   出願人：セイコーエプソン株式会社
引用文献：
審査官引用 (1件)

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