特許
J-GLOBAL ID:200903082075670739

バリア膜用研磨剤

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-348036
公開番号(公開出願番号):特開2001-338900
出願日: 2000年11月15日
公開日(公表日): 2001年12月07日
要約:
【要約】【課題】 バリア膜を絶縁膜に対して選択的に研磨でき、半導体基板表面を平坦に仕上げることが可能なバリア膜用研磨剤を提供する。【解決手段】 比表面積が80m2/g以上のヒュームドシリカ、無機酸塩、酸化剤及び溶媒よりなり、該無機酸塩の濃度が10〜5000ppmの範囲にあり、且つpHが3〜8の範囲に調整されたことを特徴とするバリア膜用研磨剤である。
請求項(抜粋):
比表面積が80m2/g以上のヒュームドシリカ、無機酸塩、酸化剤及び溶媒よりなり、該無機酸塩の濃度が10〜5000ppmであり、且つpHが3〜8であることを特徴とするバリア膜用研磨剤。
IPC (4件):
H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14
FI (4件):
H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z
Fターム (6件):
3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許:
審査官引用 (3件)

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