特許

J-GLOBAL ID：200903082131228963

半導体装置の製造方法

発明者： 松尾 哲二 ,  尺田 幸男 ,  千田 和彦
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-334755
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156019
出願日： 1999年11月25日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】オーミック接触電極を容易に形成することができ、これにより、半導体装置の生産性の向上に寄与することができる方法を提供する。【解決手段】P型ガリウム燐化合物半導体エピタキシャル成長層3の表面に、加熱ガスによるダメージ(「×」で示す。)を与える。その後、金属膜を堆積してアノード電極5を形成すると、このアノード電極5は、P型ガリウム燐化合物半導体エピタキシャル成長層3の表面にオーミック接触することになる。【効果】電極を構成する金属膜の堆積後に、長時間を要する熱処理を必要としない。

請求項（抜粋）：

半導体の固体表面に加熱ガスを供給してダメージを与える工程と、上記ダメージが与えられた半導体の固体表面に金属膜を堆積させることにより、上記半導体の固体表面にオーミック接触する電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/28 A ,  H01L 21/88 B

Fターム (14件)：

4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB10 ,  4M104BB12 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104GG04 ,  4M104HH15 ,  5F033GG02 ,  5F033HH13 ,  5F033XX09 ,  5F033XX33

引用特許：

出願人引用 (14件)

• 特開平1-282822
  
• 特開昭50-150372
  
• 特開平2-058326
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-094484   出願人：豊田合成株式会社, 新技術事業団
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-020583   出願人：ソニー株式会社
• 半導体基板の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-222021   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平3-123027
  
• 特開平2-248051
  
• 特開平2-177542
  
• 特開平1-183825
  
• 特開昭62-279644
  
• 特開昭62-210627
  
• 特開昭62-051215
  
• 特開昭50-051265
  

審査官引用 (2件)

• 特開昭50-150372
  
• 特開平1-282822