化学気相蒸着方法及び装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大塚康徳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-315399
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134490
出願日： 2001年10月12日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】ウェーハ上にパーティクルが発生することを防止するための化学気相蒸着工程を実施するための装置及び方法を提供する。【解決手段】蒸着工程を実施するためのチャンバの内部へフッ素ラジカルを含む洗浄ガスを供給する。チャンバ40にウェーハをローディングし、ウェーハ上に膜を蒸着するための蒸着ガスをチャンバ内に供給する。洗浄ガス供給ラインへの蒸着ガスの逆流を防止するために洗浄ガス供給ラインを通じて逆流防止ガスとしての不活性ガスを供給する。従って、洗浄ガス供給ラインは蒸着ガスにより汚染されず、膜を蒸着する間にウェーハ上に発生するパーティクルが減少し、これにより半導体装置の収率及び信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

洗浄ガス供給ラインを通じて洗浄ガスを工程チャンバ内に供給して前記工程チャンバを洗浄する段階と、前記工程チャンバが洗浄された後にウェーハをローディングする段階と、前記工程チャンバの内部に蒸着ガスを供給して、前記ウェーハ上に膜を蒸着しながら、同時に前記蒸着ガスが前記洗浄ガス供給ラインに逆流することを防止する段階を含むことを特徴とする化学気相蒸着方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , C23C 16/44 , H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/44 J , H01L 21/302 N

Fターム (31件)：

4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030EA08 , 4K030JA05 , 4K030KA09 , 4K030KA41 , 4K030KA47 , 5F004AA15 , 5F004BB28 , 5F004BC03 , 5F004BD04 , 5F004CA01 , 5F004DA17 , 5F004DA22 , 5F004DA27 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AC07 , 5F045AC17 , 5F045AD09 , 5F045AE25 , 5F045BB14 , 5F045DP03 , 5F045EB06 , 5F045EC10 , 5F045EE04 , 5F045EE05 , 5F045EE14 , 5F045EE18 , 5F045EF05

引用特許：

審査官引用 (4件)

遠隔の励起源を用いる堆積チャンバーのクリーニング技術
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-185924 出願人：アプライドコマツテクノロジー株式会社
特開平2-240267
ケイ素系薄膜形成装置反応室の清浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-197203 出願人：株式会社東芝

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