特許
J-GLOBAL ID:200903082177233236

半導体装置用中継基板及び半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田治米 登 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-097101
公開番号(公開出願番号):特開2000-294693
出願日: 1999年04月02日
公開日(公表日): 2000年10月20日
要約:
【要約】【課題】 BGAを利用することなく、超音波接合(USB)やハンダペーストによる接合を利用でき、しかも半導体素子に対して過度に大きくならず、外部基板へ実装した後で接合部の外観検査が可能な、CSP用インターポーザに特に適した中継基板を提供する。【解決手段】 半導体体素子ICを搭載し、その半導体素子ICを外部基板に接続するための中継基板4は、絶縁性フィルムベース1、導体層2及びカバーコート層3が順次積層された構造を有し、中継基板4の半導体素子搭載領域内(AREA?@)のカバーコート層3に半導体素子接続用パッドSPを形成し、半導体素子搭載領域外(AREA?A)の絶縁性フィルムベース1側に外部基板接続用パッドMPを形成し、半導体素子接続用パッドSPと外部基板接続用パッドMPとをリードとして機能する導体層2(LD)により導通させる。
請求項(抜粋):
半導体素子を搭載し、該半導体素子を外部基板に接続するための中継基板であって、該中継基板が絶縁性フィルムベース、導体層及びカバーコート層が順次積層された構造を有し、中継基板の半導体素子搭載領域内のカバーコート層側に半導体素子接続用パッドが形成されており、中継基板の半導体素子搭載領域外の絶縁性フィルムベース側に外部基板接続用パッドが形成されており、半導体素子接続用パッドと外部基板接続用パッドとはリードとして機能する導体層により導通していることを特徴とする中継基板。
IPC (2件):
H01L 23/32 ,  H01L 23/12
FI (2件):
H01L 23/32 D ,  H01L 23/12 L
引用特許:
審査官引用 (4件)
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