特許

J-GLOBAL ID：200903082185877991

ハイドライド気相成長方法による転位密度の低い無極性窒化ガリウムの成長

発明者： ベンジャミン・エー・ハスケル ,  マイケル・ディー・クレイブン ,  ポール・ティー・フィニ ,  スティーブン・ピー・デンバース ,  ジェームス・エス・スペック ,  中村 修二
出願人/特許権者： ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア ,  独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-564676
公開番号（公開出願番号）：特表2006-510227
出願日： 2003年07月15日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

ハイドライド気相成長法(HVPE)を用いた無極性a面窒化ガリウム(GaN)膜のエピタキシャル横方向オーバーグロース(LEO)により、欠陥密度を著しく低減させる。

請求項（抜粋）：

平坦な無極性a面窒化ガリウム(GaN)膜のエピタキシャル横方向オーバーグロースを実施する方法であって、 (a)基板に堆積されているマスクをパターニングする工程、および (b)ハイドライド気相成長法を使用して前記基板から前記GaN膜のエピタキシャル横方向オーバーグロースを実施する工程を含み、前記パターニングされたマスクによって覆われていない前記基板の部分上にのみ前記GaN膜は核を形成し、前記GaN膜は、前記パターニングされたマスクの開口部を通って垂直に成長し、次に前記GaN膜は、前記パターニングされたマスク上および前記基板の表面上にわたって横方向に広がる ことを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/02

FI (2件)：

H01L21/205 ,  H01L21/02 B

Fターム (12件)：

5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD11 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045DA67

引用特許：

審査官引用 (3件)

• III族窒化物系化合物半導体の製造方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-100931   出願人：豊田合成株式会社
• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-080288   出願人：日亜化学工業株式会社
• 気相エピタキシャル成長法、半導体基板の製造方法、半導体基板及びハイドライド気相エピタキシー装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-027009   出願人：日本電気株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Structural characterization of nonpolar (11-20)a-plane GaN thin films grown on (1-102)r-plane sapphi