特許
J-GLOBAL ID：200903082289006887

強誘電体トランジスタ及びその製造方法

発明者：
トーマス-ペーター ハネダー

トーマス-ペーター ハネダー について

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ヨーゼフ ヴィラー

ヨーゼフ ヴィラー について

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ゲオルク ブラウン

ゲオルク ブラウン について

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ティル シュレッサー

ティル シュレッサー について


出願人/特許権者：
インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト

インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-580250
公開番号（公開出願番号）：特表2002-529915
出願日： 1999年11月03日
公開日（公表日）： 2002年09月10日
要約：
【要約】本発明では、強誘電体トランジスタは半導体基板(1)で2つのソース/ドレイン領域(2)及びその領域間に設けられたチャンネル領域(3)を有する。このチャンネル領域(3)の表面にはメタル中間層(4)が配置され、この層は半導体基板(1)とともにショットキーダイオードを形成する。その表面には強誘電体層(5)及びゲート電極(6)が配置されている。強誘電体トランジスタの製造はシリコンプロセスの技術によって実行される。
請求項（抜粋）：
強誘電体トランジスタにおいて、 半導体基板(1)に2つのソース/ドレイン領域(2)及び該領域間に配置されたチャンネル領域(3)が設けられ、 該チャンネル領域(3)の表面に、前記半導体基板(1)を用いてショットキーダイオードを形成するメタル中間層(4)が配置され、 該メタル中間層(4)の表面に強誘電体層(5)が配置され、 該強誘電体層(5)の表面にゲート電極(6)が配置されていることを特徴とする、強誘電体トランジスタ。
IPC (6件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/872
FI (5件)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 444 A ,  H01L 29/48 M ,  H01L 29/48 H ,  H01L 29/50 J
Fターム (44件)：
4M104AA01 ,  4M104AA05 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB28 ,  4M104BB30 ,  4M104CC03 ,  4M104DD37 ,  4M104DD67 ,  4M104DD78 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG12 ,  4M104GG16 ,  5F083FR05 ,  5F083GA30 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA32 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR29 ,  5F083PR33 ,  5F101BA62 ,  5F101BD01 ,  5F101BD30 ,  5F101BH02 ,  5F101BH16 ,  5F101BH19
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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